Tiristor cu comutare rapidă

Descriere:

Tiristor cu comutare rapidă, cu aceeași structură și simbol al tiristorului de control al fazei, în timp ce caracteristicile statice mai bune, în special caracteristicile dinamice sunt cerute de aplicarea de înaltă frecvență a circuitului de rectificare, tocare, invertor și conversie a frecvenței.Parametrii dinamici ai tiristorului rapid sunt viteza de pornire rapidă și viteza de expansiune de pornire, taxa de recuperare inversă mai mică și timp scurt de oprire, rata de creștere critică ridicată a curentului de pornire (di/dt) și rata critică de creșterea tensiunii în starea oprită (dv/dt).Curentul nominal al tiristorului rapid în cadrul frecvenței nominale nu scade sau scade puțin când frecvența crește.

Standardul de fabricație a tiristoarelor cu comutare rapidă și tehnologia de procesare a RUNAU Electronics a fost introdus din SUA începând cu anii 1980, ca pionier al producției de tiristoare în China, echipa tehnică a RUNAU dobândise cunoștințe de ultimă oră și experiență vastă în producție de mai bine de 30 de ani.Pe baza procesului de fabricație tradițional, tehnicienii talentați de la RUNAU Electronics au dezvoltat tehnologia de ultimă oră în fabricarea tiristoarelor cu caracteristici avantajoase ale produselor europene, calitatea și performanța sunt mult îmbunătățite, mai multe câștiguri mari obținute în aplicațiile electronice de putere, și a fost creată mai multă valoare pentru parteneri.

Introducere:

1. Cip

Cipul tiristor produs de RUNAU Electronics este utilizată cu tehnologie de aliere sinterizată.Placa de siliciu și molibden a fost sinterizată pentru aliere cu aluminiu pur (99,999%) în vid înalt și mediu de temperatură ridicată.Administrarea caracteristicilor de sinterizare este factorul cheie pentru a afecta calitatea tiristorului.Know-how-ul RUNAU Electronics, pe lângă gestionarea adâncimii joncțiunii din aliaj, planeitatea suprafeței, cavitatea aliajului, precum și abilitățile complete de difuzie, modelul de cerc inel, structura specială a porții.De asemenea, procesarea specială a fost folosită pentru a reduce durata de viață a purtătorului dispozitivului, astfel încât viteza de recombinare a purtătorului intern este mult accelerată, taxa de recuperare inversă a dispozitivului este redusă și viteza de comutare este îmbunătățită în consecință.Asemenea măsurători au fost aplicate pentru a optimiza caracteristicile de comutare rapidă, caracteristicile de stare și proprietatea curentului de supratensiune.Performanța și funcționarea de conducere a tiristorului este fiabilă și eficientă.

2. Încapsulare

Prin controlul strict al planeității și paralelismului plachetei de molibden și pachetului extern, cipul și placheta de molibden vor fi integrate strâns și complet cu pachetul extern.Astfel se va optimiza rezistența curentului de supratensiune și a curentului mare de scurtcircuit.Și măsurarea tehnologiei de evaporare a electronilor a fost folosită pentru a crea o peliculă groasă de aluminiu pe suprafața plachetei de siliciu, iar stratul de ruteniu placat pe suprafața de molibden va spori foarte mult rezistența la oboseală termică, durata de viață a tiristorului cu comutare rapidă va crește semnificativ.

Specificație tehnică

1. Tiristor cu comutare rapidă cu cip tip aliaj fabricat de RUNAU Electronics, gama I_TAVde la 200A la 4000A și V_DRM/V_RRMde la 1200V la 4500V.
2. I_GT, V_GTși eu_Hsunt valorile de testare la 25℃, dacă nu se specifică altfel, toți ceilalți parametri sunt valorile de testare sub T_jm;
3. I²t=I²F SM×tw/2, tw= Lățimea bazei curentului de semiundă sinusoidal.La 50 Hz, I²t=0,005I²FSM(A²S);
4. La 60 Hz: I_FSM(8,3 ms)=I_FSM(10 ms)×1,066,T_j=T_j;eu²t(8,3ms)=I²t(10 ms)×0,943,T_j=T_jm

Parametru: