Referințele normative aplicate de Jiangsu Yangjie Runau Semiconductor Co în producția de diode de sudură au fost următoarele:
1. GB/T 4023—1997 Dispozitive discrete ale dispozitivelor semiconductoare și circuitelor integrate Partea 2: Diode redresoare
2. GB/T 4937—1995 Metode de testare mecanică și climatică pentru dispozitive semiconductoare
3. JB/T 2423—1999 Dispozitive semiconductoare de putere – Metoda de modelare
4. JB/T 4277—1996 Power Semiconductor Device Packaging
5. JB/T 7624—1994 Metoda de testare a diodei redresoare
Model și mărime
1. Numele modelului: Modelul diodei de sudură se referă la reglementările JB/T 2423-1999, iar semnificația fiecărei părți a modelului este prezentată în Figura 1 de mai jos:
2. Simboluri grafice și identificare (sub)terminală
Simbolurile grafice și identificarea terminalului sunt prezentate în Figura 2, săgeata indicând terminalul catodului.
3. Formă și dimensiuni de instalare
Forma diodei sudate este convexă și de tip disc, iar forma cu dimensiunea trebuie să îndeplinească cerințele din Figura 3 și Tabelul 1.
| Articol | Dimensiune (mm) | ||
| ZW7100 | ZW12000 | ZW16000/ZW18000 | |
| Flanșă catodică (Dmax) | 61 | 76 | 102 |
| Catodul și anodul Mesa (D1) | 44±0,2 | 57±0,2 | 68±0,2 |
| Diametrul maxim al inelului ceramic (D2max) | 55,5 | 71,5 | 90 |
| Grosimea totală (A) | 8±1 | 8±1 | 13±2 |
| Orificiul pentru poziție de montare | Diametrul găurii: φ3.5±0.2mm, Adâncimea găurii: 1.5±0.3mm | ||
Evaluări și caracteristici
1. Nivelul parametrilor
Seria tensiunii de vârf repetitive inverse (VRRM) este cea specificată în tabelul 2
Tabelul 2 Nivelul tensiunii
| VRRM（V） | 200 | 400 |
| Nivel | 02 | 04 |
2. Valori limită
Valorile limită trebuie să respecte tabelul 3 și să se aplice întregului interval de temperatură de funcționare.
Tabelul 3 Valoare limită
| Valoarea limită | Simbol | Unitate | Valoare | |||
| ZW7100 | ZW12000 | ZW16000 | ZW18000 | |||
| Temperatura carcasei | Tcase | ℃ | -40~85 | |||
| Temperatura de joncțiune echivalentă (max) | T（vj） | ℃ | 170 | |||
| Temperatura de depozitare | Tstg | ℃ | -40~170 | |||
| Tensiune inversă de vârf repetitivă (max.) | VRRM | V | 200/400 | 200/400 | 200/400 | 200/400 |
| Tensiune de vârf nerepetitivă inversă (max | VRSM | V | 300/450 | 300/450 | 300/450 | 300/450 |
| Curent mediu direct (max) | IF（AV） | A | 7100 | 12000 | 16000 | 18000 |
| Curent de supratensiune direct (nerepetitiv) (max.) | IFSM | A | 55000 | 85000 | 120000 | 135000 |
| I²t (max.) | Eu nu | kA²s | 15100 | 36100 | 72000 | 91000 |
| Forța de montare | F | kN | 22~24 | 30~35 | 45~50 | 52~57 |
3. Valori caracteristice
Tabelul 4 Valori maxime caracteristice
| Caracter și stare | Simbol | Unitate | Valoare | |||
| ZW7100 | ZW12000 | ZW16000 | ZW18000 | |||
| Tensiune de vârf directă IFM=5000A, Tj=25℃ | VFM | V | 1.1 | 1.08 | 1.06 | 1.05 |
| Curent de vârf repetitiv invers Tj=25℃, Tj=170℃ | IRRM | mA | 50 | 60 | 60 | 80 |
| Rezistenta termica Jonctiune la carcasa | Rjc | ℃/W | 0,01 | 0,006 | 0,004 | 0,004 |
| Notă: pentru cerințe speciale vă rugăm să consultați | ||||||
Thedioda de sudareprodus de Jiangsu Yangjie Runau Semiconductor este aplicat pe scară largă în aparatele de sudură cu rezistență, mașini de sudură cu frecvență medie și înaltă de până la 2000 Hz sau mai mult.Cu o tensiune de vârf ultra-scăzută, rezistență termică ultra-scăzută, tehnologie de fabricație de ultimă oră, capacitate excelentă de înlocuire și performanță stabilă pentru utilizatorii globali, dioda de sudare de la Jiangsu Yangjie Runau Semiconductor este unul dintre cele mai fiabile dispozitive din puterea Chinei. produse semiconductoare.
Ora postării: 14-jun-2023