Tiristor de control de fază (tip de aliaj)

Descriere:

Tiristorul, cunoscut și sub numele de Silicon Control Rectifier (SCR), este un dispozitiv semiconductor de mare putere format din trei structuri PN.În ceea ce privește performanța, tiristorul nu numai că are conductivitate unidirecțională, dar are și o controlabilitate mai valoroasă decât elementul redresor de siliciu, care doar două stări de conducție și stare oprită, pentru a controla putere mare cu putere mică, amplificare a puterii de până la sute sau de mii de ori.Reacția este foarte rapidă, pornind și oprindu-se în micro-secunde.Funcționare fără contact, fără scântei, fără zgomot, în timp ce eficiență ridicată și costuri reduse.Prin urmare, în special în sistemul de alimentare cu putere mare, tiristorul a fost utilizat pe scară largă în circuitul redresor, comutatorul de bypass static, comutatorul de ieșire fără contact și alte circuite.

Standardul de fabricare a tiristoarelor și tehnologia de procesare a RUNAU Electronics a fost introdus din SUA începând cu anii 1980, ca pionier al producției de tiristoare în China, echipa tehnică a RUNAU dobândise cunoștințe de ultimă oră și experiență vastă în producție de mai bine de 30 de ani.Pe baza procesului de fabricație tradițional, tehnicienii talentați ai RUNAU Electronics au dezvoltat tehnologia de ultimă oră în fabricarea tiristoarelor cu caracteristici avantajoase ale produselor europene, calitatea și performanța sunt mult îmbunătățite, mai multe câștiguri mari obținute în aplicarea electronicii de putere domenii și a fost creată mai multă valoare pentru parteneri.

Introducere:

1. Cip

Cipul tiristor produs de RUNAU Electronics este utilizată cu tehnologie de aliere sinterizată.Placa de siliciu și molibden a fost sinterizată pentru aliere cu aluminiu pur (99,999%) în vid înalt și mediu de temperatură ridicată.Administrarea caracteristicilor de sinterizare este factorul cheie pentru a afecta calitatea tiristorului.Know-how-ul RUNAU Electronics, pe lângă gestionarea adâncimii joncțiunii din aliaj, planeitatea suprafeței, cavitatea aliajului, precum și abilitățile complete de difuzie, poarta centrală, modelul cercului inelului au fost aplicate pentru a permite operarea de conducție fiabilă și eficientă a tiristorului, pentru a asigura performanta de inalta calitate.

2. Încapsulare

Prin controlul strict al planeității și paralelismului plachetei de molibden și pachetului extern, cipul și placheta de molibden vor fi integrate strâns și complet cu pachetul extern.Astfel se va optimiza rezistența curentului de supratensiune și a curentului mare de scurtcircuit.Și măsurarea tehnologiei de evaporare a electronilor a fost folosită pentru a crea o peliculă groasă de aluminiu pe suprafața plachetei de siliciu, iar stratul de ruteniu placat pe suprafața de molibden va spori foarte mult rezistența la oboseală termică, durata de viață a tiristorului va crește semnificativ.

Specificație tehnică

1. tiristor controlat de fază cu cip tip aliaj fabricat de RUNAU Electronics, gama I_TAVde la 300A la 6000A și V_DRM/V_RRMde la 800V la 4400V.
2. I_GT, V_GTși eu_Hsunt valorile de testare la 25℃, dacă nu se specifică altfel, toți ceilalți parametri sunt valorile de testare sub T_jm;
3. I²t=I²F SM×tw/2, tw= Lățimea bazei curentului de semiundă sinusoidal.La 50 Hz, I²t=0,005I²FSM(A²S);
4. La 60 Hz: I_FSM(8,3 ms)=I_FSM(10 ms)×1,066,T_j=T_j;eu²t(8,3ms)=I²t(10 ms)×0,943,T_j=T_jm

Parametru: