Pachet de presă IGBT
Pachet de presă IGBT (IEGT)
| TIP | VDRM V | VRRM V | IT(AV)@80℃ A | ITGQM@CS A/µF | ITSM@10ms kA | VTM V | VTO V | rT mΩ | TVJM ℃ | Rthjc ℃/W | |
| CSG07E1400 | 1400 | 100 | 250 | 700 | 2 | 4 | ≤2,2 | ≤1,20 | ≤0,50 | 125 | 0,075 |
| CSG07E1700 | 1700 | 16 | 240 | 700 | 1.5 | 4 | ≤2,5 | ≤1,20 | ≤0,50 | 125 | 0,075 |
| CSG15F2500 | 2500 | 17 | 570 | 1500 | 3 | 10 | ≤2,8 | ≤1,50 | ≤0,90 | 125 | 0,027 |
| CSG20H2500 | 2500 | 17 | 830 | 2000 | 6 | 16 | ≤2,8 | ≤1,66 | ≤0,57 | 125 | 0,017 |
| CSG25H2500 | 2500 | 16 | 867 | 2500 | 6 | 18 | ≤3,1 | ≤1,66 | ≤0,57 | 125 | 0,017 |
| CSG30J2500 | 2500 | 17 | 1350 | 3000 | 5 | 30 | ≤2,5 | ≤1,50 | ≤0,33 | 125 | 0,012 |
| CSG10F2500 | 2500 | 15 | 830 | 1000 | 2 | 12 | ≤2,5 | ≤1,66 | ≤0,57 | 125 | 0,017 |
| CSG06D4500 | 4500 | 17 | 210 | 600 | 1 | 3.1 | ≤4,0 | ≤1,90 | ≤0,50 | 125 | 0,05 |
| CSG10F4500 | 4500 | 16 | 320 | 1000 | 1 | 7 | ≤3,5 | 1.9 | ≤0,35 | 125 | 0,03 |
| CSG20H4500 | 4500 | 16 | 745 | 2000 | 2 | 16 | ≤3,2 | ≤1,8 | ≤0,85 | 125 | 0,017 |
| CSG30J4500 | 4500 | 16 | 870 | 3000 | 6 | 16 | ≤4,0 | ≤2,2 | ≤0,60 | 125 | 0,012 |
| CSG40L4500 | 4500 | 16 | 1180 | 4000 | 3 | 20 | ≤4,0 | ≤2,1 | ≤0,58 | 125 | 0,011 |
Notă:D- cu dparte iod, A-fara piesa de dioda
În mod convențional, modulele IGBT de contact de lipit au fost aplicate în angrenajul sistemului de transmisie CC flexibil.Pachetul de module este disipare a căldurii pe o singură parte.Capacitatea de putere a dispozitivului este limitată și nu este adecvată pentru a fi conectat în serie, durată de viață slabă în aer sărat, vibrații slabe anti-șoc sau oboseală termică.
Noul dispozitiv IGBT de înaltă putere cu presa-contact nu numai că rezolvă complet problemele de vacanță în procesul de lipit, oboseala termică a materialului de lipit și eficiența scăzută a disipării căldurii pe o singură față, dar elimină și rezistența termică dintre diferitele componente, minimizați dimensiunea și greutatea.Și îmbunătățiți semnificativ eficiența de lucru și fiabilitatea dispozitivului IGBT.Este destul de potrivit pentru a satisface cerințele de mare putere, de înaltă tensiune și de înaltă fiabilitate ale sistemului de transmisie CC flexibil.
Înlocuirea tipului de contact de lipit cu IGBT de tip press-pack este imperativă.
Din 2010, Runau Electronics a fost elaborată pentru a dezvolta un nou tip de dispozitiv IGBT de tip press-pack și a reușit producția în 2013. Performanța a fost certificată de calificare națională și realizarea de vârf a fost finalizată.
Acum putem produce și furniza IGBT de tip press-pack din gama IC de la 600A la 3000A și gama VCES de la 1700V la 6500V.O perspectivă splendidă a IGBT de tip presă fabricat în China pentru a fi aplicat în sistemul de transmisie CC flexibil din China este foarte așteptată și va deveni o altă piatră de clasă mondială a industriei electronice de putere din China, după trenul electric de mare viteză.
Scurtă introducere a modului tipic:
1. Mod: Press-pack IGBT CSG07E1700
●Caracteristici electrice după ambalare și presare
● inversparalelconectatdioda de recuperare rapidaîncheiat
● Parametru:
Valoarea nominală (25℃)
A.Tensiune emițător colector: VGES=1700（V）
b.Tensiune emițător de poartă: VCES=±20（V）
c.Curent de colector: IC=800（A）ICP=1600（A）
d.Disiparea puterii colectorului: PC=4440（W）
e.Temperatura joncțiunii de lucru: Tj=－20~125℃
f.Temperatura de depozitare: Tstg=－40~125℃
Notă: dispozitivul va fi deteriorat dacă depășește valoarea nominală
ElectricCcaracteristici, TC＝125℃，Rth (rezistenta termica ajoncțiune cucaz）nu este inclus
A.Curent de scurgere la poartă: IGES=±5（μA）
b.Curentul de blocare al emițătorului colectorului ICES=250（mA）
c.Tensiune de saturație a emițătorului colectorului: VCE(sat)=6(V)
d.Tensiune prag emițătorului de poartă: VGE(th)=10(V)
e.Timp de pornire: Ton=2,5μs
f.Timp de oprire: Toff=3μs
2. Mod: Press-pack IGBT CSG10F2500
●Caracteristici electrice după ambalare și presare
● inversparalelconectatdioda de recuperare rapidaîncheiat
● Parametru:
Valoarea nominală (25℃)
A.Tensiune emițător colector: VGES=2500（V）
b.Tensiune emițător de poartă: VCES=±20（V）
c.Curent colector: IC=600（A）ICP=2000（A）
d.Disiparea puterii colectorului: PC=4800（W）
e.Temperatura joncțiunii de lucru: Tj=－40~125℃
f.Temperatura de depozitare: Tstg=－40~125℃
Notă: dispozitivul va fi deteriorat dacă depășește valoarea nominală
ElectricCcaracteristici, TC＝125℃，Rth (rezistenta termica ajoncțiune cucaz）nu este inclus
A.Curent de scurgere la poartă: IGES=±15（μA）
b.Curentul de blocare al emițătorului colectorului ICES=25（mA）
c.Tensiune de saturație a emițătorului colectorului: VCE(sat)=3,2 (V)
d.Tensiune prag emițătorului de poartă: VGE(th)=6.3(V)
e.Timp de pornire: Ton=3,2μs
f.Timp de oprire: Toff=9,8μs
g.Diodă Tensiune directă: VF=3,2 V
h.Timp de recuperare inversă a diodei: Trr=1,0 μs
3. Mod: Press-pack IGBT CSG10F4500
●Caracteristici electrice după ambalare și presare
● inversparalelconectatdioda de recuperare rapidaîncheiat
● Parametru:
Valoarea nominală (25℃)
A.Tensiune emițător colector: VGES=4500（V）
b.Tensiune emițător de poartă: VCES=±20（V）
c.Curent colector: IC=600（A）ICP=2000（A）
d.Disiparea puterii colectorului: PC=7700（W）
e.Temperatura joncțiunii de lucru: Tj=－40~125℃
f.Temperatura de depozitare: Tstg=－40~125℃
Notă: dispozitivul va fi deteriorat dacă depășește valoarea nominală
ElectricCcaracteristici, TC＝125℃，Rth (rezistenta termica ajoncțiune cucaz）nu este inclus
A.Curent de scurgere la poartă: IGES=±15（μA）
b.Curentul de blocare al emițătorului colectorului ICES=50（mA）
c.Tensiune de saturație a emițătorului colectorului: VCE(sat)=3,9 (V)
d.Tensiune prag emițătorului de poartă: VGE(th)=5,2 (V)
e.Timp de pornire: Ton=5,5μs
f.Timp de oprire: Toff=5,5μs
g.Diodă Tensiune directă: VF=3,8 V
h.Timp de recuperare inversă a diodei: Trr=2,0 μs
Notă:Press-pack IGBT este un avantaj în ceea ce privește fiabilitatea mecanică ridicată pe termen lung, rezistența ridicată la deteriorare și caracteristicile structurii de conectare prin presare, este convenabil pentru a fi folosit în dispozitive în serie și, în comparație cu tiristorul tradițional GTO, IGBT este metoda de antrenare a tensiunii .Prin urmare, este ușor de operat, sigur și gamă largă de operare.