Cip diodă redresoare
Cip diodă redresoare
Cipul de diodă redresoare produs de RUNAU Electronics a fost introdus inițial de standardul și tehnologia de procesare GE care respectă standardul de aplicare din SUA și calificată de clienți din întreaga lume.Este prezentat în caracteristici puternice de rezistență la oboseală termică, durată lungă de viață, tensiune înaltă, curent mare, adaptabilitate puternică la mediu etc. Fiecare cip este testat la TJM, inspecția aleatorie nu este strict permisă.Selecția de consistență a parametrilor chipsurilor este disponibilă pentru a fi furnizată în funcție de cerințele aplicației.
Parametru:
| Diametru mm | Grosime mm | Voltaj V | Cathode Out Dia. mm | Tjm ℃ |
| 17 | 1,5±0,1 | ≤2600 | 12.5 | 150 |
| 23.3 | 1,95±0,1 | ≤2600 | 18.5 | 150 |
| 23.3 | 2,15±0,1 | 4200-5500 | 16.5 | 150 |
| 24 | 1,5±0,1 | ≤2600 | 18.5 | 150 |
| 25.4 | 1,4-1,7 | ≤3500 | 19.5 | 150 |
| 29.72 | 1,95±0,1 | ≤2600 | 25 | 150 |
| 29.72 | 1,9-2,3 | 2800-5500 | 23 | 150 |
| 32 | 1,9±0,1 | ≤2200 | 27.5 | 150 |
| 32 | 2±0,1 | 2400-2600 | 26.3 | 150 |
| 35 | 1,8-2,1 | ≤3500 | 29 | 150 |
| 35 | 2,2±0,1 | 3600-5000 | 27.5 | 150 |
| 36 | 2,1±0,1 | ≤2200 | 31 | 150 |
| 38.1 | 1,9±0,1 | ≤2200 | 34 | 150 |
| 40 | 1,9-2,2 | ≤3500 | 33.5 | 150 |
| 40 | 2,2-2,5 | 3600-6500 | 31.5 | 150 |
| 45 | 2,3±0,1 | ≤3000 | 39,5 | 150 |
| 45 | 2,5±0,1 | 3600-4500 | 37,5 | 150 |
| 50,8 | 2,4-2,7 | ≤4000 | 43,5 | 150 |
| 50,8 | 2,8±0,1 | 4200-5000 | 41,5 | 150 |
| 55 | 2,4-2,8 | ≤4500 | 47,7 | 150 |
| 55 | 2,8-3,1 | 5200-6500 | 44,5 | 150 |
| 63,5 | 2,6-3,0 | ≤4500 | 56,5 | 150 |
| 63,5 | 3,0-3,3 | 5200-6500 | 54,5 | 150 |
| 70 | 2,9-3,1 | ≤3200 | 63,5 | 150 |
| 70 | 3,2±0,1 | 3400-4500 | 62 | 150 |
| 76 | 3,4-3,8 | ≤4500 | 68.1 | 150 |
| 89 | 3,9-4,3 | ≤4500 | 80 | 150 |
| 99 | 4,4-4,8 | ≤4500 | 89,7 | 150 |
Specificație tehnică:
RUNAU Electronics furnizează cipuri semiconductoare de putere ale diodei redresoare și diodei de sudare.
1. Căderea scăzută a tensiunii la starea de pornire
2. Metalizarea cu aur va fi aplicată pentru a îmbunătăți proprietățile conductoare și de disipare a căldurii.
3. Mesaj de protecție cu dublu strat
Sfaturi:
1. Pentru a menține performanța mai bună, cipul va fi depozitat în condiții de azot sau vid pentru a preveni schimbarea tensiunii cauzate de oxidarea și umiditatea pieselor de molibden.
2. Păstrați întotdeauna suprafața cipului curat, vă rugăm să purtați mănuși și să nu atingeți cipul cu mâinile goale
3. Operați cu atenție în procesul de utilizare.Nu deteriorați suprafața marginii de rășină a cipului și stratul de aluminiu din zona polului porții și catodului
4. La testare sau încapsulare, vă rugăm să rețineți că paralelismul, planeitatea și forța de strângere a dispozitivului trebuie să coincidă cu standardele specificate.Paralelismul slab va duce la presiune neuniformă și deteriorarea așchiilor prin forță.Dacă se impune o forță de strângere în exces, cipul va fi deteriorat cu ușurință.Dacă forța de strângere impusă este prea mică, contactul slab și disiparea căldurii vor afecta aplicarea.
5. Blocul de presiune în contact cu suprafața catodică a cipului trebuie să fie recoacet
Recomandați forța de prindere
| Dimensiunea chipsurilor | Recomandare pentru forța de prindere |
| （KN）±10% | |
| Φ25.4 | 4 |
| Φ30 sau Φ30,48 | 10 |
| Φ35 | 13 |
| Φ38 sau Φ40 | 15 |
| Φ50,8 | 24 |
| Φ55 | 26 |
| Φ60 | 28 |
| Φ63,5 | 30 |
| Φ70 | 32 |
| Φ76 | 35 |
| Φ85 | 45 |
| Φ99 | 65 |